اولین دستگاه هیبریدی CXL ترکیبی از حافظه فلش و DRAM است

سامسونگ از کارت توسعه جدید CXL به نام ماژول هیبریدی حافظه CXL برای حافظه طبقه بندی شده رونمایی کرده است. این کارت دارای حافظه پرسرعت DRAM و حافظه فلش NAND می باشد.

به گزارش TechNock، سامسونگ از کارت توسعه جدید Compute Interface Express (CXL) به نام ماژول حافظه هیبریدی CXL برای حافظه طبقه بندی شده (CMM-H) رونمایی کرده است. این کارت حافظه رم و فلش اضافی را در خود جای داده است که توسط پردازنده ها و شتاب دهنده ها از راه دور قابل دسترسی هستند.

کارت توسعه فوق ترکیبی از حافظه DRAM پرسرعت و حافظه فلش NAND است و به گونه ای طراحی شده است که روشی مقرون به صرفه برای افزایش ظرفیت حافظه سرورها بدون استفاده از حافظه محلی DDR5 ارائه می دهد، که اغلب گزینه ای در تقاضای بالا نیست. سرورها

تمژاردور او می نویسد که راه حل سامسونگ بر اتصال CXL (Compute Express Link) متکی است که یک استاندارد صنعتی باز در نظر گرفته می شود. این اتصال پرسرعت، یک اتصال یکپارچه با قابلیت حافظه پنهان بین پردازنده‌ها و شتاب‌دهنده‌ها برقرار می‌کند و در نتیجه به پردازنده‌ها اجازه می‌دهد تا از همان مناطق حافظه مانند دستگاه‌های متصل از طریق CXL استفاده کنند.

حافظه راه دور یا در این مثال حافظه ترکیبی رم و فلش از طریق گذرگاه PCIe در دسترس است که حدود 170 تا 250 نانوثانیه تاخیر دارد. تقریباً مشابه تأخیر ناشی از پرش های NUMA (دسترسی غیر یکنواخت به حافظه اصلی). رابط CXL در سال 2019 معرفی شد و اکنون در نسخه سوم خود قرار دارد و از PCIe Gen 6 پشتیبانی می کند.

استاندارد CXL از سه نوع دستگاه پشتیبانی می کند:

• دسته اول: شتاب دهنده هایی هستند که حافظه داخلی ندارند.
• دسته دوم: شتاب دهنده هایی با حافظه اختصاصی خود (مانند GPU و FPGA و مدارهای مجتمع ویژه با حافظه DDR یا HBM).
• دسته سوم: فقط شامل دستگاه های حافظه می شود. از جمله کارت حافظه جدید سامسونگ.

CMM-H TM شاخه ای از راهکار حافظه CXL مدل CMM-H سامسونگ است. سامسونگ اعلام کرده است که این محصول اولین راه‌حل حافظه سطح‌بندی CXL مبتنی بر FPGA در جهان است و برای رفع مشکلات مدیریت حافظه، کاهش زمان از کار افتادن، بهینه‌سازی زمان‌بندی برای حافظه لایه‌ای و به حداکثر رساندن عملکرد و در عین حال کاهش قابل توجه مالکیت کلی طراحی شده است.

این CMM-H جدید به سرعت DRAM نیست. اما از طریق فلاش ظرفیت زیادی را اضافه می کند. با این حال، به دلیل ویژگی کش حافظه هوشمند تعبیه شده در کارت توسعه، تأخیر زیادی را پنهان می کند. داده‌های پرکاربرد برای بهبود سرعت به تراشه‌های DRAM کارت منتقل می‌شوند. در حالی که داده های کمتر استفاده شده در حافظه فلش NAND ذخیره می شود.

سامسونگ می گوید این به طور خودکار اتفاق می افتد. اما برخی از برنامه ها و وظایف می توانند نکاتی را برای بهبود عملکرد از طریق API به دستگاه ارائه دهند. بدیهی است که این امر باعث ایجاد تاخیر در داده های کش می شود که برای همه برنامه ها ایده آل نیست. به خصوص آنهایی که در 99 درصد مواقع به حداکثر کارایی نیاز دارند.

کارت توسعه جدید سامسونگ راه های جدیدی را برای افزایش ظرفیت حافظه سرور به مشتریان خود ارائه می دهد. این الگوی طراحی جدید اهمیت فزاینده ای پیدا می کند زیرا مدل های پیشرفته زبان بزرگ به حافظه بیشتری از ماشین های میزبان و شتاب دهنده های خود نیاز دارند.