برتری نسبی گره 18A اینتل نسبت به گره N2 TSMC

گلسینگر، مدیر عامل اینتل، اعلام کرد که عملکرد گره 18A اینتل کمی نسبت به گره N2 TSMC برتری دارد و انتظار می رود محصولات توسعه یافته اینتل یک سال زودتر از برنامه TSMC به بازار عرضه شوند.

گزارش کردن تنهااینتل سرمایه گذاری زیادی برای سرعت بخشیدن به توسعه گره های تولیدی خود انجام داده است. این شرکت قصد دارد پنج مدل جدید را تنها در چهار سال آینده معرفی کند. در حال حاضر، اینتل آماده است تا فناوری‌های 20A (کلاس 2 نانومتری) و 18A (کلاس 1.8 نانومتری) خود را جلوتر از رقبایی مانند TSMC و Samsung Foundry به بازار عرضه کند.

پت گلسینگر، مدیرعامل اینتل معتقد است که فناوری 18A اینتل که قرار است در نیمه دوم سال 2024 در تولید انبوه استفاده شود، “کمی جلوتر” از فناوری N2 TSMC خواهد بود که قرار است در نیمه دوم سال 2025 وارد بازار شود. . . اینتل همچنین قصد دارد این فناوری های پیشرفته را برای مشتریان ریخته گری خود (Intel Foundry Services یا IFS) در دسترس قرار دهد که می تواند به یک مزیت رقابتی قابل توجه برای محصولات و عملیات تولیدی شرکت تبدیل شود.

تمژاردور گزارش می دهد که گلسینگر در مصاحبه ای با بارون ها او گفت: “من یک ترانزیستور خوب دارم، منبع تغذیه عالی دارم. فکر می کنم کمی جلوتر از N2، فناوری بعدی TSMC هستم.”

فناوری‌های فرآیند 20A و 18A اینتل دو نوآوری مهم را به ارمغان می‌آورند: ترانزیستورهای GAA (Gate-All-Around) RibbonFET و Backplane Power Supply Network (BSPDN) با استفاده از فناوری PowerVia. گره 20 آمپر تقریباً یک گره کوتاه مدت است که به اینتل امکان می دهد تمام ویژگی های GAA و BSPDN را بیاموزد، در حالی که گره 18A برای اینتل به عنوان نقطه ای در نظر گرفته شده است که اینتل انتظار دارد به گام خود برسد. در صنعت نیمه هادی به همین دلیل این شرکت امید زیادی به این گره دارد.

اینتل اکنون اعلام کرده است که سیلیکون 18A در سه ماهه اول سال 2024 وارد خط تولید خواهد شد و اولین محصولات مبتنی بر این فناوری فرآیند در نیمه دوم سال 2024 در دسترس خواهند بود. از سوی دیگر، TSMC قرار است شروع به کار کند. تولید تراشه با فناوری فرآیند N2 خود در نیمه دوم سال 2025. علاوه بر این، در حالی که N2 TSMC از ترانزیستورهای GAA نانوصفحه ای استفاده می کند، همچنان از یک سیستم منبع تغذیه سنتی با عملکرد پایین تر استفاده می کند.

TSMC همچنان بر این باور است که فناوری بهبود یافته N3P که قرار است در سال 2024 ارائه شود، قدرت، عملکرد و تراکم ترانزیستور را با مشخصات 18A اینتل ارائه می‌کند و ادعا می‌کند که N2 به طور کلی بهتر از N3P و 18A خواهد بود.

اما گلسینگر معتقد است که 18A نسبت به N2 مزایای عملکردی قابل توجهی دارد، به ویژه از نظر عملکرد، که توسط ترانزیستور RibbonFET بهبود یافته و منبع تغذیه عقب ارائه شده است.

گلسینگر می گوید: «من فکر می کنم همه ترانزیستور N2 TSMC را با 18A ما مقایسه می کنند. خواهیم دید کدام یک بهتر از دیگری است. اما وقتی صحبت از تحویل نیرو به میان می آید، همه می گویند اینتل برتر است. شما سال ها از رقبای خود جلوتر هستید. این کار راندمان منطقه ای سیلیکون را بهبود می بخشد که به معنای هزینه کمتر است. این انتقال قدرت بهتری را ارائه می دهد که به معنای عملکرد بالاتر است.

گلسینگر همچنین خاطرنشان کرد که N2 TSMC می تواند به یک گره تولید بسیار گران قیمت تبدیل شود که به اینتل اجازه می دهد تا سفارشات مشتریانی را که به دنبال کارایی هزینه بالاتری هستند بدون کاهش حاشیه سود، با فناوری های 20A و 18A خود تکمیل کند. به دست آورد

برتری نسبی گره 18A اینتل نسبت به گره N2 TSMC برای اولین بار در Tech Knock – اخبار دنیای فناوری نوشته شد. ظاهر شد.