رونمایی از تراشه های با قابلیت «خودکشی مداری».

در کنفرانس ISSCC از تراشه هایی رونمایی شد که از قابلیت خودکشی مداری بهره می برد. این تراشه ها توسط تیمی از دانشگاه ورمونت طراحی شده است.

به گزارش تکنوک، کنفرانس بین المللی مدارهای مجتمع حالت جامد (ISSCC) هفته گذشته برگزار شد. به عنوان بخشی از پوشش IEEE Spectrum در مورد پیشرفت‌های امنیتی ارائه شده در کنفرانس، تیمی از دانشگاه ورمونت روشی را برای ساخت تراشه‌ها (مانند CPU) نشان دادند که از قابلیت‌های خودکشی مدار (خود تخریب در صورت نقض امنیت) استفاده می‌کنند.

این روش علاوه بر اینکه یک اقدام امنیتی است، به عنوان یک اقدام ضد جعل عمل می کند و برای فروشندگانی که می خواهند از طرح های خود محافظت کنند، خبرجو است. تمژاردور می نویسد که این مکانیسم با استفاده از توابع غیرقابل شبیه سازی فیزیکی (PUF) کار می کند که می تواند اثر انگشت منحصر به فردی را برای هر تراشه ایجاد کند. PUF که توسط تیم دانشگاه ورمونت در معرفی این مکانیسم خود تخریبی پیاده سازی شده است، دارای قابلیت اضافی برای خودکشی مداری در قالب دو روش داخلی است.

هر دو روش از افزایش ولتاژ خطوط متصل به کلید رمزگذاری استفاده می کنند. روش اول باعث مهاجرت الکتریکی می شود. پدیده ای که در آن جریان الکتریکی اتم های فلز را از جای خود جابجا می کند و حفره ها و مدارهای باز ایجاد می کند. روش دوم، در عوض، با اعمال ولتاژ 2.5 ولت به ترانزیستورهای طراحی شده برای عملکرد زیر 1 ولت، باعث اتصال کوتاه سریع از طریق خرابی دی الکتریک وابسته به زمان (پیری ترانزیستور) می شود که منجر به خرابی دستگاه می شود.

تیم دانشگاه ورمونت با کمک فناوری مارول و به رهبری اریک هانتشردر که در هر دو سازمان کار می کند، در پروژه تراشه ای مجهز به قابلیت خودکشی مداری همکاری کرده اند. این پروژه با الهام از گزارش های توانایی محققان در شبیه سازی PUF های مبتنی بر SRAM با استفاده از میکروسکوپ الکترونی انجام شد.

به گفته هانتشردر، خودکشی مداری تضمین می کند که وقتی کار با یک قطعه تمام شد، از بین می رود تا دیگر قابل استفاده نباشد. این نمایش با یک تراشه آزمایشی 3 نانومتری انجام شد.

اگر فناوری خودکشی مداری برای شما آشنا به نظر می رسد، ممکن است به این دلیل باشد که اخیراً دو درایو فلش USB خود تخریب شونده را دیده ایم: یکی از شرکت پیشرفته روسی Rostec و دیگری Ovrdrive مستقل با مکانیزم باز کردن قفل منحصر به فرد که نیاز به اصلاح دارد. برای فعال کردن عملکرد خود تخریبی. دارد.

دیگر پیشرفت‌های امنیتی مورد بحث در پست وبلاگ IEEE Spectrum شامل هشدار حمله کاوشگر و روش پوشش سیگنال الکترومغناطیسی داخلی است که از شکسته شدن کلیدها توسط اسکنرهای EM حتی پس از 40 میلیون تلاش جلوگیری می‌کند. بدون این محافظت، همان اسکنر توانست در 500 تلاش به آن دست یابد.

مقاله رونمایی از تراشه های با قابلیت «خودکشی مداری» اولین بار در تکنوک – اخبار دنیای فناوری. ظاهر شد.